⑴日前有外媒报道称，三星电子正式推出了第三代HBM(HBME)存储芯片，并将之命名为“Flashbolt”。值得一提的是，第三代HBM存储芯片单颗最大容量GB，且有望在今年上半年开始量产！感兴趣的朋友，还不赶紧来了解一下。
⑵据悉，第三代HBM存储芯片单颗最大容量GB，由Gb的单Die通过层堆叠而成，可实现GB的封装容量，并确保.Gbps的稳定数据传输速度。
⑶按照三星方面的说法，新型GB HBME特别适用于高性能计算(HPC)系统，并可帮助系统制造商及时改进其超级计算机、AI驱动的数据分析和最新的图形系统。同时，三星预计第三代HBM存储芯片将在今年上半年开始量产！另外，三星将继续提供第二代Aquabolt产品阵容，同时扩展其第三代Flashbolt产品。